陈涌海中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任
陈涌海,湖南人,1967年生,毕业于北京科技大学,博士学位,现任中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任、博士生导师。
主要研究领域为半导体低维结构材料研究、新型复合纳米材料研究、新型半导体光谱技术及应用、半导体自旋电子学研究。
中文名
陈涌海
出生日期
1967年月日
毕业院校
北京大学
学位/学历
博士
职业
科研工作者
职务
中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任
教育经历
1990年,在北京大学获得学士学位
1993年,在北京科技大学获得硕士学位
1998年,在中科院半导体所获得博士学位
工作经历
现任中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任、博士生导师,
主要成就
科研成就
科研项目
国家自然科学基金重大项目课题“新型半导体量子结构的设计、制备和表征”(2003年至2006年);
973项目课题“大失配异质结构材料生长动力学与柔性衬底”(2001年至2005年);
863项目“光泵浦、光通信用自组装量子点激光器”(2002年至2005年);
国家自然科学基金重大规划项目“磁性半导体异质结构材料和自旋极化半导体激光器”(2003年至2005年);
国家自然科学基金面上项目“半导体材料平面光学各向异性研究”(2000年至2002年)。
发表论文
Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level position of low-temperature GaAs, Phys. Rev. B, vol.55, pp. R7379-R, 1997.
Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs, Appl. Phys. Lett. Vol. 72, pp.1866-, 1998.
Y. H. Chen and Z. Yang , Theory of linear electro-optic effect near the E1 and the E1 + D1 energies , Appl. Phys. Lett. Vol. 73(12), pp.1667-, 1998.
Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Quantum-well anisotropic forbidden transitions induced by a common-atom interface potential, Phys. Rev. B, vol. 60(3), pp.1783-, 1999.
Y. H. Chen, Z. G. Wang, et al., Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy, J. Appl. Phys., vol.88(3), pp.1695-1697, 2000. 3362 3039
Xiao-Ling Ye, Y. H. Chen, et al., Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices, Phys. Rev. B, vol. 63, pp.115317-, 2001.
Y. H. Chen, X. L. Ye, et al., Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/ AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy, Phys. Rev. B, vol. 66, pp.195321-, 2002.
H. Y. Liu, B. Xu, Y. H. Chen, et al., Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots, J. Appl. Phys. Vol. 88(9), pp.5433-, 2000. 3362 3039
Wang Zhan-Guo, Chen Yong-Hai, et al., Self assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers, J Crystal Growth, vol. 227-228, pp.1132-, 2001.
荣誉表彰
获2004年国家重点基础研究计划(973)先进个人称号
2006年度杰出青年基金获得者
2009年新世纪百千万人才工程国家级人选等奖励和荣誉
参考资料
1.陈涌海·中国科学院半导体研究所
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